引领碳化硅器件研发，清纯半导体完成高瓴创投领投数亿元融资

　　原标题：引领碳化硅器件研发，清纯半导体完成高瓴创投领投数亿元融资

　　2021 年 12 月 31 日，国内碳化硅器件领域领先企业清纯半导体宣布完成数亿元 Pre-A 轮融资，由高瓴创投领投。据悉，资金将主要用于加速产品研发、建设器件测试、可靠性实验室、以及支撑产品迅速上量满足客户需求。

　　清纯半导体成立于 2021 年 3 月，是一家聚焦于碳化硅 (SiC) 功率芯片的高科技设计公司，专业从事高端 SiC 功率器件的研发与产业化。公司拥有国际领先水平的 SiC 器件设计及工艺团队，核心团队从事 SiC 工艺和器件 20 余年，研发和产业化多代 SiC 功率器件，并通过车规级测试。

　　高瓴创始合伙人李良表示：碳化硅功率器件是新能源时代的必然选择，其耐高压、耐高温、低损耗、体积小等性能优势完美匹配碳中和的发展需求，解决新能源行业痛点。我们认为，包括电动汽车、新能源发电、特高压输电、储能等多个领域，都将迎来碳化硅功率器件需求的大爆发。而清纯半导体团队深耕该领域多年，拥有丰富的研发及量产经验，这是他们在成立后短时间内就能完成多款性能卓越的产品研发的关键。我们非常看好团队的发展潜力，将长期支持清纯半导体的全方位发展。

　　清纯半导体以技术引领，坚持产业链自主可控，依托国内 SiC 器件量产线研发自主工艺并开发高性能高可靠性碳化硅器件，推出的 1200V 碳化硅二极管通过 AEC-Q101 认证及新能源头部企业测试，已实现规模销售，目前可批量提供 1200V 平台下各规格的 SiC 二极管产品。2022 年第一季度可提供 1200V 平台 MOSFET 产品，并迅速完成产品系列化，车规级 SiC MOSFET 在同步研发及可靠性验证过程中。