继长鑫存储年底交付、紫光集团布局重庆后，DRAM芯片国产化阵营再有新成员加

　　原标题：继长鑫存储年底交付、紫光集团布局重庆后，DRAM芯片国产化阵营再有新成员加入

　　12月27日，北京兆易创新科技股份有限公司（下称：兆易创新）透露，该公司最早将于2021年完成其首款DRAM芯片的封装测试以及客户验证，测试成功后将进行大批量产。

　　观察者网查询发现，在此之前的9月30日，兆易创新发布的《非公开发行A股股票预案》（下称：《预案》）中介绍：该公司拟募集资金33.2亿元用于DRAM芯片研发及产业化项目。

　　值得一提的是，长鑫存储12英寸存储器晶圆制造基地项目总投资约1500亿元，而紫光集团未来十年投资在DRAM领域的投资或高达8000亿元。

　　而上述长鑫存储项目由兆易创新和合肥产投合作开展。不过，今年9月23日，兆易创新公告称，该公司当时正筹划的上述募资与长鑫存储项目无关，“公司与合肥长鑫等项目实施主体以各自独立发展模式运营”。

　　目前，中国是DRAM芯片的全球最大市场，但三星、海力士、美光等企业在华占据主导地位，这也使得DRAM成为我国受外部制约最为严重的基础产品之一。

　　观察者网注意到，今年以来，兆易创新股价涨幅近230%。截至12月31日A股收盘，该公司股价报204.89元/股，总市值达658亿元。

　　募资33.2亿研发DRAM

　　根据上述《预案》披露，兆易创新拟向不超过10名特定投资者非公开发行不超过6422.4万股（含本数），募集资金总额（含发行费用）不超过人民币43.2亿元。其中，本次募集的33.2亿元将用于DRAM芯片研发及产业化项目，剩余的10亿元将用于补充流动资金。

　　《预案》中介绍，兆易创新拟通过上述项目，研发1Xnm 级（19nm、17nm）工艺制程下的DRAM技术，设计和开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片并实现产业化。

　　根据《预案》，兆易创新已组建由数十名资深工程师组成的核心研发团队，涵盖前端设计、后端产品测试与验证，该团队的核心技术带头人员从事DRAM芯片行业平均超过二十年。

　　12月27日，在回复证监会反馈意见时，兆易创新透露，其首款DRAM芯片计划于2020年展开流片试样，并将于2021年进行封装测试以及完成客户验证，测试成功后进行大批量产。除此之外，其多系列DRAM产品将在2025年之前陆续完成研发及量产。

　　上述《预案》指出，截至目前，DDR3、DDR4为最主流、最成熟的DRAM技术，2019年电子器件工程联合委员会（JEDEC）发布的DDR5技术标准讨论版，尚在不断完善更新中。