三星电子携手新思科技，3 纳米制程技术已正式流片

　　原标题：三星电子携手新思科技，3 纳米制程技术已正式流片

　　三星电子日前宣布，3 纳米制程技术已经正式流片。据悉，三星电子的 3 纳米制程采用的是环绕式栅极（gate-all-around，GAA）晶体管架构，性能优于台积电的 3 纳米鳍式场效应晶体管（FinFET）架构。

　　三星电子表示，因为 GAA 架构需要一套不同于台积电和英特尔使用的 FinFET 架构的设计和鉴定工具，该公司采用了来自新思科技（Synopsys）的 Fusion Design Platform。该流程的物理设计套件（PDK）已于 2019 年 5 月发布，工具已于去年通过流程认证。三星电子与新思科技的合作，旨在加速为 GAA 流程提供高度优化的参考方法。

　　参考设计流程包括一个集成的、支持 golden-signoff 的 RTL-to-GDSII 设计流程以及 golden-signoff 产品。该流程针对的是希望将 3 纳米 GAA 工艺用于高性能计算、5G、移动和高级人工智能应用中的芯片的客户。

　　三星电子代工业务三星代工（Samsung Foundry）设计技术团队副总裁 Sangyun Kim 表示：「三星代工是推动下一阶段行业创新的核心，我们不断进行基于工艺技术的发展，以满足专业和广泛市场应用日益增长的需求。我们 的、先进的 3 纳米 GAA 工艺得益于我们与新思科技的广泛合作，以及 Fusion Design Platform 的加速准备，使 3 纳米工艺的 能够有效实现，这是这些关键联盟的重要性和利益的证明。」

　　三星电子表示，GAA 架构改善了静电特性，提高了性能，降低了功耗，并增加了基于纳米片宽控制的额外矢量的新优化机会的好处。与成熟的电压阈值调谐配合使用，这为优化功率、性能或面积设计提供了更多方法 （PPA）。设计流程还包括支持复杂的布局方法和布局规则、新的布线规则和增加的可变性。该流程基于单一数据模型，并使用通用优化架构，而不是组合点工具。

　　GAA 晶体管架构标志着工艺技术进步的一个关键转折点，这对于保持下一波超大规模创新所需的扩展轨迹至关重要，新思科技数字设计集团总经理尚卡尔·克里希纳摩尔（Shankar Krishnamoorthy）表示。「我们与三星代工在支持共同交付一流技术和解决方案方面的战略合作，确保了这些扩展趋势的持续，以及这些趋势为更广泛的半导体行业提供的相关机会。」

　　之前曾有媒体报道称，三星电子有望在 2022 年量产 3 纳米制程芯片。而作为三星电子在芯片代工领域的最主要竞争对手，台积电也预计在 2022 年下半年量产 3 纳米芯片。